Si chiama FeRAM ed è una particolare tipologia di memoria basata su materiali ferroelettrici, che combina la velocità di una tradizionale DRAM con la capacità di preservare i dati anche in assenza di alimentazione che è invece tipica delle flash. E' stata ideata circa un anno fa dal ricercatore coreano Dr. Shin Young-han ma da allora non se n'è più parlato. Ora Toshiba annuncia un prototipo di chip basato su tecnologia FeRAM, che stabilisce nuovi record di densità e prestazioni per un dispositivo di memoria.

Una memoria FeRAM è in grado di raggiungere velocità dieci volte superiori rispetto ad una flash e di preservare i dati in assenza di alimentazione anche per più di dieci anni. Si tratta potenzialmente di una delle prossime frontiere nelle tecnologie di storage, ma la sua adozione in un contesto "mass market" non è esattamente dietro l'angolo. Tuttavia Toshiba ha annunciato un passo importante nella direzione di un impiego commerciale delle memorie FeRAM, presentando un chip di memoria basato su questa tecnologia che fa segnare un nuovo record sia per prestazioni che per densità. Si tratta naturalmente di un prototipo, che verrà mostrato per la prima volta in azione all'ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) di San Francisco questa settimana.

Il chip ideato da Toshiba è in grado di memorizzare ben 128Mbit (16Mbyte), con velocità di lettura e scrittura di 1.6 Gbyte/sec. Si basa su un'evoluzione dell'architettura chainFeRAM di Toshiba, che previene il degrado del segnale nelle celle, uno dei problemi più rilevanti per la scalabilità su questo tipo di memoria. A questo si aggiunge un circuito che gestisce e anticipa le fluttuazioni di alimentazione, per supportare elevate velocità di trasferimento. Questo ha permesso di implementare un'interfaccia di tipo DDR2, per massimizzare il throughput pur mantenendo bassi i livelli di consumo.

Grazie a queste innovazioni è stato possibile incrementare la velocità di trasferimento fino a 8 volte e la densità fino a 4 volte. Il chip FeRAM di Toshiba è realizzato a 130nm (la miniaturizzazione su questa particolare tipologia di memoria è una delle sfide più grandi da superare), viene alimentato a 1.8V e un tempo di accesso di 43ns. Si tratta della più veloce memoria non volatile esistente al mondo.

Toshiba si dice intenzionata a proseguire la ricerca sulla tecnologia FeRAM, per accrescere ulteriormente la capacità e consentirne un utilizzo commerciale su dispositivi quali telefoni cellulari (come memoria principale), unità SSD e PC (come cache).

Fonte: Toshiba

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